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AUIRFR024NTRL-HXY实物图
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AUIRFR024NTRL-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
AUIRFR024NTRL N沟道MOS管采用行业主流TO-252-2L封装,具备出色的散热性能和布局灵活性。其核心优势在于支持60V的最大漏源电压(VDSS)及高达15A的连续漏极电流(ID),专为高功率应用打造。导通电阻低至38mΩ,确保在大电流操作下仍能维持高效能和低损耗。广泛应用于电源转换器、电机驱动等领域,是兼具高性能与可靠性的理想半导体器件。
商品型号
AUIRFR024NTRL-HXY
商品编号
C22366900
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.396667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.355nF
反向传输电容(Crss)49pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)60pF

数据手册PDF