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AUIRFR024NTRL-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- AUIRFR024NTRL N沟道MOS管采用行业主流TO-252-2L封装，具备出色的散热性能和布局灵活性。其核心优势在于支持60V的最大漏源电压(VDSS)及高达15A的连续漏极电流(ID)，专为高功率应用打造。导通电阻低至38mΩ，确保在大电流操作下仍能维持高效能和低损耗。广泛应用于电源转换器、电机驱动等领域，是兼具高性能与可靠性的理想半导体器件。
- 商品型号
- AUIRFR024NTRL-HXY
- 商品编号
- C22366900
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.396667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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