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NP15P04SLG-HXY
P沟道 耐压:40V 电流:25A
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- 描述
- 此场效应管为P型。电流为25A，能满足一定的电流需求。电压达40V，适应多种电压条件。内阻典型值31mR。VGS为20V。适用于各类电子产品，可在电源管理、信号处理等方面发挥作用，确保电路稳定运行。
- 商品型号
- NP15P04SLG-HXY
- 商品编号
- C22366888
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NP15P04SLG采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -40V,漏极电流ID = -25A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 44mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源