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IRLR024NPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- IRLR024NPbF 是一款高性能N沟道MOS管，采用行业标准TO-252-2L封装，结构紧凑且散热良好。该器件亮点在于具备60V的最大漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)，能有效应对高压大电流应用场景。其导通电阻低至38mΩ，显著提升系统能效，降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等电路设计，是高功率、高效能电子设备的优选组件。
- 商品型号
- IRLR024NPBF-HXY
- 商品编号
- C22366899
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NTD18N06L采用先进的 trenches 技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 20 A
- RDS(ON) < 32 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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