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IRLR024NPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLR024NPBF-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
IRLR024NPbF 是一款高性能N沟道MOS管,采用行业标准TO-252-2L封装,结构紧凑且散热良好。该器件亮点在于具备60V的最大漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),能有效应对高压大电流应用场景。其导通电阻低至38mΩ,显著提升系统能效,降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等电路设计,是高功率、高效能电子设备的优选组件。
商品型号
IRLR024NPBF-HXY
商品编号
C22366899
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.397778克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.355nF
反向传输电容(Crss)49pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)60pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF