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AM9569DA-HXY
1个P沟道 耐压:40V 电流:25A
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- 描述
- AM9569DA 是一款P沟道MOSFET，采用常见的TO-252-2L封装形式，适用于各类高功率电子设备。器件工作电压VDSS高达40V，可承载最大25A的漏极电流ID，体现了其优秀的电流处理性能。导通电阻RD(on)为31mΩ，有助于降低功耗并提升整体电路效率。广泛应用于电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等场景，AM9569DA MOS管是您设计高效率、低损耗电路的理想选择。
- 商品型号
- AM9569DA-HXY
- 商品编号
- C22366889
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
IRF7413PBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 15A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源