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AOD444-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- AOD444 是一款高品质N沟道MOSFET，采用行业标准TO-252-2L封装，易于集成到各类电路设计中。器件核心参数包括最大漏源电压(VDSS)高达60V，能够承受并传输15A的连续漏极电流(ID)，同时，其低至38mΩ的导通电阻(RD(on))保证了高效能和低损耗。这款MOS管适用于电源转换、电机驱动、LED照明调光等应用，是您提升系统性能和节能效果的理想半导体器件。
- 商品型号
- AOD444-HXY
- 商品编号
- C22366896
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
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