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DMN6068LK3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流达20A，可承载较大电流。电压为60V，适应一定范围的电压环境。内阻典型值27mR，较低内阻能减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子领域，可在一些功率要求较高的电子设备中发挥稳定电流、控制电压的作用。
- 商品型号
- DMN6068LK3-HXY
- 商品编号
- C22366897
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；31.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
STN4130采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 20A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 32mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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