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NTD20N06L-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- NTD20N06L N沟道MOS管采用小型化TO-252-2L封装，适合空间有限的设计需求。其关键特性包括60V的最高漏源电压(VDSS)和15A的强大连续漏极电流(ID)，确保在高电压、大电流条件下仍保持卓越性能。更值得关注的是，导通电阻仅有38mΩ，极大地提高了系统能效并减小了热损耗。此款MOS管广泛应用在电源转换、电机控制等多种场合，是高性价比且性能可靠的电子元件优选。
- 商品型号
- NTD20N06L-HXY
- 商品编号
- C22366894
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.398889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
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