温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STN4130-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- STN4130 N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，结构紧凑，易于集成。器件以60V的最大漏源电压(VDSS)及15A连续漏极电流(ID)展现强大电能处理能力，特别适用于高压大电流应用场景。导通电阻低至38mΩ，有利于提升系统效率，降低能耗，并减少运行温度。此款MOS管广泛服务于电源管理、电机驱动等领域，是兼顾性能与可靠性的理想半导体组件。
- 商品型号
- STN4130-HXY
- 商品编号
- C22366895
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.398889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTD20N06L采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 20 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 32 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- AOD444-HXY
- DMN6068LK3-HXY
- FQD20N06-HXY
- IRLR024NPBF-HXY
- AUIRFR024NTRL-HXY
- IRFR024NPBF-HXY
- RFD12N06RLES-HXY
- NTD20N06-HXY
- FQD13N06L-HXY
- IRLR014TRPBF-HXY
- MTD3055V-HXY
- NTD18N06L-HXY
- NTD3055-150-HXY
- NTD3055L104-HXY
- NTD3055L170-HXY
- RFD14N05LSM-HXY
- STD12NF06LT4-HXY
- STD16NF06-HXY
- ZXMN6A08K-HXY
- AUIRLR024N-HXY
- SQ2362ES-T1_GE3-HXY