STN4130-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
- 描述
- STN4130 N沟道MOS管采用TO-252-2L封装,结构紧凑,易于集成。器件以60V的最大漏源电压(VDSS)及15A连续漏极电流(ID)展现强大电能处理能力,特别适用于高压大电流应用场景。导通电阻低至38mΩ,有利于提升系统效率,降低能耗,并减少运行温度。此款MOS管广泛服务于电源管理、电机驱动等领域,是兼顾性能与可靠性的理想半导体组件。
- 商品型号
- STN4130-HXY
- 商品编号
- C22366895
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.398889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- AOD444-HXY
- IRLR024NPBF-HXY
- AUIRFR024NTRL-HXY
- IRFR024NPBF-HXY
- RFD12N06RLES-HXY
- FQD13N06L-HXY
- MTD3055V-HXY
- NTD3055L104-HXY
- NTD3055L170-HXY
- RFD14N05LSM-HXY
- STD12NF06LT4-HXY
- SQ2362ES-T1_GE3-HXY
- SIS414DN-T1-GE3-HXY
- AON7408-HXY
- FDMC8884-HXY
- SIS412DN-T1-GE3-HXY
- SIS410DN-T1-GE3-HXY
- FDMC8554-HXY
- AO4616-HXY
- AO4630-HXY
- STC4606-HXY
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- AUIRFR024NTRL-HXY
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- STD12NF06LT4-HXY
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