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IRF7413PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- IRF7413PbF N沟道MOS管采用先进的SOP-8封装技术，小巧而高效。其核心参数出色，具备30V的最大漏源电压(VDSS)和高达15A的连续漏极电流(ID)，确保了强大的电力处理能力。导通电阻仅为8mΩ，有效降低了功耗与温升，优化系统效率。适用于各类高密度电源转换、电机驱动等电路设计，是您实现高性能电子设备的理想之选。
- 商品型号
- IRF7413PBF-HXY
- 商品编号
- C22366891
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.616nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 162.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 207.8pF |
商品概述
DMP4047SK3采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -40V，ID = -25A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 44mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源