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MDD1951RH-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- MDD1951RH N沟道MOS管采用坚固耐用的TO-252-2L封装形式，专为高功率应用设计。该器件具有60V的最大漏源电压(VDSS)以及卓越的15A连续漏极电流(ID)，性能强劲稳定。其导通电阻低至38mΩ，有助于减少能量损耗并提高整体系统效能。本产品广泛应用于开关电源、马达驱动等领域，是高端电子设备中不可或缺的高性能MOS管组件。
- 商品型号
- MDD1951RH-HXY
- 商品编号
- C22366892
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
IRF7420PbF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -20A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源