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FDS6680AS-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- FDS6680AS 是一款N沟道MOSFET，采用小巧的SOP-8封装，专为高效率、低功耗应用设计。器件支持高达30V的工作电压VDSS，可提供稳定的15A漏极电流ID，显示了卓越的电流处理能力。其亮点在于超低的导通电阻RD(on)仅为8mΩ，有效减少功率损耗，提高系统能效。广泛应用于电源转换、负载开关、电机驱动等领域，FDS6680AS MOS管是您实现高性能、节能电路的理想组件。
- 商品型号
- FDS6680AS-HXY
- 商品编号
- C22366890
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.616nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 162.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 207.8pF |