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STL6P3LLH6-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- STL6P3LLH6 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型DFN3X3-8L封装，专为高集成度和节能设计而生。该器件具备30V的电压额定值VDSS，可支持高达25A的连续漏极电流ID，确保强大稳定的电流处理能力。其独特优势在于16mΩ的超低导通电阻RD(on)，有助于显著降低系统损耗，提升整体能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，STL6P3LLH6 MOS管是您构建高效绿色电子产品的理想选择。
- 商品型号
- STL6P3LLH6-HXY
- 商品编号
- C22366875
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0595克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
STL6P3LLH6采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V；漏极电流（ID） = -25 A
- 栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源