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AO4614B-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:6.5A
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- 描述
- AO4614B 是一款N+P沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装，适应现代电子产品的小型化需求。器件具备40V的最大工作电压VDSS，可持续输出6A的漏极电流ID，确保高效稳定的电力传输。其导通电阻RD(on)低至26mΩ，有效降低功耗并提升系统能效。AO4614B MOS管广泛应用于电源转换、负载开关、电机驱动控制等领域，是您实现高效率、低损耗电路设计的理想选择。
- 商品型号
- AO4614B-HXY
- 商品编号
- C22366885
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF |