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DMP4047SK3-HXY
1个P沟道 耐压:40V 电流:25A
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- 描述
- 这款场效应管为P型，电流25A，可承载较大的电流负荷。电压40V，能适应多种常见电路环境。内阻典型值31mR，在一定程度上控制能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可满足特定电子设备对电流和电压的要求。
- 商品型号
- DMP4047SK3-HXY
- 商品编号
- C22366886
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
DMP3036SFV采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源极电压VDS = -30V
- 漏极电流ID = -25A
- 当栅源极电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源