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SM454AT9RL-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- SM454AT9RL 是一款高性能N沟道MOS管，采用经典TO-252-2L封装，方便用户在多样化的电路设计中灵活应用。该器件具有40V的最大漏源电压(VDSS)，可以持续提供高达20A的漏极电流(ID)，并且在导通状态下展现出极低的25mΩ导通电阻(RD(on))，从而确保高效能和低功耗表现。此款MOS管适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种场合，以其卓越的电气性能满足您的高级电路控制需求。
- 商品型号
- SM454AT9RL-HXY
- 商品编号
- C22366847
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SI7218DN-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 20 A
- RDS(ON) < 32 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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