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BUK9M85-60EX-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- BUK9M85-60EX 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，特别适合于空间受限且需要高效能转换的应用。其具备60V的高耐压VDSS和20A的连续电流ID处理能力，即使在大电流工况下也能稳定工作。31mR的低导通电阻RD(on)设计有助于减少功率损耗，提升系统整体效率。广泛应用于开关电源、电机驱动控制、车载充电等领域，是您追求高效节能解决方案的理想之选。
- 商品型号
- BUK9M85-60EX-HXY
- 商品编号
- C22366860
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道中压（MV）MOSFET采用经过优化的工艺制造，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持出色的开关性能。
商品特性
- 高功率和电流处理能力
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 漏源电压 = 100 V
- 漏极电流 = 75 A（栅源电压 = 10 V）
- 漏源导通电阻 < 3.6 mΩ（栅源电压 = 10 V）
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