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SM4447APRL-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- SM4447APRL 是一款采用SOP-8封装的高性能P沟道MOS管，具备30V的高耐压VDSS及11A的强大连续电流ID处理能力，适用于各类中大电流开关应用。其导通电阻RD(on)仅为12.5mR，有助于显著降低系统功耗，提高整体效率。此款MOS管广泛运用于开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域，是实现高效、节能设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- SM4447APRL-HXY
- 商品编号
- C22366863
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
DMG7401SFG采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -32A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 12mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器