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IRF9393PBF-HXY
耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- IRF9393PbF 是一款高性能P沟道MOS管，采用SOP-8封装形式，专为高效率、低损耗电路设计。该器件具有30V的漏源电压VDSS和11A的连续电流ID处理能力，适用于各类中大电流开关应用。其导通电阻RD(on)低至12.5mR，确保了卓越的能效表现。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池保护系统等领域，是追求高效节能解决方案的理想半导体元件。
- 商品型号
- IRF9393PBF-HXY
- 商品编号
- C22366867
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1208克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
SI4435DYPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V，ID = - 11A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源