温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SM4435PRL-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SM4435PRL 是一款采用SOP-8封装的高性能P沟道MOS管，专为高效率、低损耗应用设计。该器件支持30V的最大工作电压VDSS，具备出色的电流承载能力，最大连续漏极电流可达11A。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)仅为12.5mΩ，大大降低了功率损耗，提升了整体系统效能。适用于电源转换、电机驱动等场景，SM4435PRL MOS管凭借其优越性能，将成为您电路设计的理想组件。
- 商品型号
- SM4435PRL-HXY
- 商品编号
- C22366869
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1208克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
SM4435PRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -11A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 16 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源