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SI4435DYPBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- SI4435DYPbF 是一款高性能P沟道MOS管，采用紧凑型SOP-8封装，适用于各类电子设备。其拥有30V的额定电压VDSS和高达11A的连续漏极电流ID，确保了强大的电力处理能力。更值得一提的是，该器件具有低至12.5mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功耗，提升系统能效。无论是在电源管理还是电机驱动等领域，这款MOS管都能展现卓越性能，是您设计的理想选择。
- 商品型号
- SI4435DYPBF-HXY
- 商品编号
- C22366868
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1224克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMP3020LSS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V，ID = - 11A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源