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IRF9333PBF-HXY
耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- IRF9333PbF 是一款采用SOP-8封装的高性能P沟道MOS管，专为高效率开关应用设计。其具有30V的漏源电压VDSS和强大的11A连续电流ID承载能力，确保在大电流环境下稳定工作。导通电阻RD(on)低至12.5mR，有效减少功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用在开关电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等方面，是您构建高效节能电子产品的理想选择。
- 商品型号
- IRF9333PBF-HXY
- 商品编号
- C22366866
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
STP4407采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -11A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 16 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET