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IRF7416PBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- IRF7416PbF 是一款采用SOP-8封装的P沟道MOS管，具有30V的漏源电压VDSS和11A连续电流ID处理能力，特别适用于中大电流开关电路。其特色在于12.5mR的低导通电阻RD(on)，可以显著降低系统损耗，提高整体工作效率。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池保护等领域，是设计高效、节能方案的理想半导体元件。
- 商品型号
- IRF7416PBF-HXY
- 商品编号
- C22366865
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
AONS21321采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -50A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 25mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理