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DMP3020LSS-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流11A，可适应一定功率的应用场景。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值12.5mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定需求的电子设备中。
- 商品型号
- DMP3020LSS-HXY
- 商品编号
- C22366862
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.119493克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
MDV3604URH采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -32A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 12mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关-液晶显示器的DC/DC转换器
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