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SI7308DN-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- SI7308DN-T1-E3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN3X3-8L小型封装，适合空间受限的高效能应用。器件具备60V的高耐压VDSS和20A连续电流ID处理能力，确保在高电压大电流环境下稳定工作。其导通电阻RD(on)仅为31mR，有效降低了功耗，提高了整体电路效率。广泛应用在开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，是设计高效、节能方案的理想半导体元件。
- 商品型号
- SI7308DN-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366861
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.148nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 49.4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SI7308DN-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 15A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 40mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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