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AONS21321-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- AONS21321 是一款采用先进DFN5X6-8L封装的高性能P沟道MOS管，具备30V的高耐压VDSS，可支持高达50A的连续电流ID，尤其适用于大电流开关应用场合。其出色之处在于导通电阻RD(on)仅为9mR，有助于显著降低系统功耗和提升整体效率。此器件广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，是高功率密度和高效率设计方案的理想选择。
- 商品型号
- AONS21321-HXY
- 商品编号
- C22366850
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
SM4447APRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -50A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 25mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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