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SI7850DP-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- SI7850DP-T1-GE3 是一款采用先进DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管，具有出色的60V漏源电压VDSS和高达30A的连续电流ID处理能力，特别适用于高功率应用场合。其导通电阻RD(on)仅为20mR，显著提高了电路效率并降低了功耗。这款MOS管广泛应用于开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域，是实现高效、节能设计的理想半导体器件。
- 商品型号
- SI7850DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366851
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
SIR836DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 55 A
- RDS(ON) < 8.5mΩ，VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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