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SI7218DN-T1-E3-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:24A
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- 描述
- SI7218DN-T1-E3 是一款采用了创新DFN3X3-8L封装技术的高性能N+N沟道MOS管。凭借其30V的漏源电压VDSS和强大的20A连续电流ID能力，能在低压高电流条件下稳定运作。特别值得关注的是其极低的导通电阻RD(on)仅有19mR，极大程度降低了系统损耗，提升了能效表现。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、快速充电设备等高效率电源管理方案，是现代电子产品设计的理想之选。
- 商品型号
- SI7218DN-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366849
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDD6530A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于许多其他应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 24A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充
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