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NCV8403A-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流为20A，可满足一定的功率输出需求。电压40V，能在常见电路环境中稳定工作。内阻典型值25mR，可减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定需求的电子设备中。
- 商品型号
- NCV8403A-HXY
- 商品编号
- C22366848
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375879克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ZVN3310F采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 0.17A
- RDS(ON) < 6Ω @ VGS = 10V
- ESD额定值：1500V HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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