AOD4186-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- AOD4186 N沟道MOS管采用经典TO-252-2L封装,具备优良的散热性能和兼容性。该器件提供高达40V的额定电压VDSS,以及50A的连续漏极电流ID,专为高功率应用设计。其独特之处在于仅有11mΩ的导通电阻RD(on),显著降低功耗并提升系统能效。广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域,AOD4186 MOS管作为高性能半导体元件,为您的设计提供强劲可靠的电流控制解决方案。
- 商品型号
- AOD4186-HXY
- 商品编号
- C22366834
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.373克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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