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AOD4186-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- AOD4186 N沟道MOS管采用经典TO-252-2L封装，具备优良的散热性能和兼容性。该器件提供高达40V的额定电压VDSS，以及50A的连续漏极电流ID，专为高功率应用设计。其独特之处在于仅有11mΩ的导通电阻RD(on)，显著降低功耗并提升系统能效。广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，AOD4186 MOS管作为高性能半导体元件，为您的设计提供强劲可靠的电流控制解决方案。
- 商品型号
- AOD4186-HXY
- 商品编号
- C22366834
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.373克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDMC510P采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -60A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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