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SM4186T9RL-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- SM4186T9RL N沟道MOS管采用行业标准TO-252-2L封装，确保优良的散热性能和宽泛的适用范围。该器件具备40V的高额定电压VDSS，可轻松应对50A的大电流应用场景。其核心竞争力在于仅为11mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效减少功率损失，提升系统整体效率。
- 商品型号
- SM4186T9RL-HXY
- 商品编号
- C22366836
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.373克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 109pF |
商品概述
AOD4186采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V，ID = 50 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 16 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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