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VN2110-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流0.2A，适用于小电流场景。电压高达100V，可在高电压环境下工作。内阻典型值2800mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电压要求高、电流较小的电子设备中，确保设备稳定运行。
- 商品型号
- VN2110-HXY
- 商品编号
- C22366840
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
VN2110采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 0.17A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 6Ω
- 静电放电等级：人体模型1500V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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