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IRFHM8329PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- IRFHM8329PbF MOS管采用先进的DFN3X3-8L封装技术，是一款高效的N沟道MOSFET器件。其特性包括30V的最大漏源电压VDSS，以及强大的80A连续电流ID承载能力，展现了出色的电力控制性能。此外，该器件具有的超低导通电阻RD(on)仅4.7mR，旨在大幅度降低能耗，提升系统能效，尤其适用于对功率密度和效率有较高要求的开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域，为您的高端电子设计提供坚实保障。
- 商品型号
- IRFHM8329PBF-HXY
- 商品编号
- C22366843
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0585克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
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