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SIS402DN-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- SIS402DN-T1-GE3 MOS管是一款采用小型化DFN3X3-8L封装技术的高性能N沟道MOSFET。其关键特性包括30V的最大漏源电压VDSS，以及强大的80A连续电流ID处理能力，充分满足高功率应用需求。尤为突出的是其优异的导通电阻RD(on)，低至4.7mR，旨在最大程度地减小传导损耗，提高整体系统效能，特别适用于开关电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等对效率与散热有严格要求的场景，是您实现高效能电路设计的理想组件。
- 商品型号
- SIS402DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366844
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0585克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品概述
SI7850DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 25mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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