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DMG7401SFG-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
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- 描述
- 这款场效应管为P型，电流达32A，可满足较大功率需求。电压为30V，适应多种常见电路环境。内阻典型值10mR，能减少能量损耗。VGS为25V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
- 商品型号
- DMG7401SFG-HXY
- 商品编号
- C22366845
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
SIS402DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 60A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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