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ZVN3310F-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流为0.2A，适合小功率需求。电压达100V，可在较高电压环境下稳定运行。内阻典型值2800mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电压要求高、电流较小的电子设备中，保障设备正常工作。
- 商品型号
- ZVN3310F-HXY
- 商品编号
- C22366841
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
DMP3010LK3采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至4.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V，ID = 80 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 8.8 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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