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AON7426-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- AON7426 MOS管，封装采用高效紧凑的DFN3X3-8L形式，是一款具备强大性能的N沟道功率MOSFET。具有30V的额定电压VDSS及惊人的80A连续电流ID能力，彰显出其卓越的电力处理性能。其低至4.7mΩ的导通电阻RD(on)，显著减少能量损耗并优化系统效能，尤其适合于高功率密度、要求严苛的开关电源、电机驱动及电池管理系统等应用领域，是工程师打造高性能电子设备的理想选择。
- 商品型号
- AON7426-HXY
- 商品编号
- C22366842
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0585克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品概述
SI7613DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -60A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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