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NVMFS5C468N-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流达50A，可承载较大的电流负荷。电压为40V，适应多种常见电路环境。内阻典型值11mR，有助于降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定需求的电子设备。
- 商品型号
- NVMFS5C468N-HXY
- 商品编号
- C22366838
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SI7615CDN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -60A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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