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FDD6530A-HXY
N沟道+P沟道 20V 20A
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- 描述
- FDD6530A N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备优良的散热性能和高性价比。该器件支持20V的工作电压VDSS，能够稳定传输高达20A的漏极电流ID，尤其适用于中等电流应用场合。其导通电阻RD(on)低至16mΩ，有效降低功率损耗，提高系统效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电机驱动等领域，FDD6530A MOS管是中高功率设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- FDD6530A-HXY
- 商品编号
- C22366839
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 801pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 113pF |
商品概述
SM4186T9RL采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 50 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 16 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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