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SIR836DP-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- SIR836DP-T1-GE3 N沟道MOS管采用先进的DFN5X6-8L封装技术，具备出色的热性能和空间利用率。该器件可在40V电压VDSS下承载高达50A的连续漏极电流ID，专为高电流应用设计。其核心亮点在于极低的导通电阻RD(on)——11mΩ，有效减少功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，SIR836DP-T1-GE3 MOS管是寻求高性能、节能解决方案的理想半导体元件。
- 商品型号
- SIR836DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366837
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
FDD8447L-F085采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V，ID = 50 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 16 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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