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FDD8447L-F085-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- FDD8447L-F085 N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装形式，确保高效散热与广泛应用兼容性。器件提供40V的工作电压VDSS，能承载高达50A的连续漏极电流ID，专为处理高强度电力任务而设计。其独特优势在于11mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效降低功耗，提高系统能效。
- 商品型号
- FDD8447L-F085-HXY
- 商品编号
- C22366835
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF |
商品概述
NVMFS5C468N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 40A
- RDS(ON) < 14mΩ，VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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