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IPD80P03P4L-07-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- IPD80P03P4L-07 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具有优秀的散热性能和高可靠性。该器件工作电压VDSS高达30V，可持续提供70A的漏极电流ID，满足大电流应用需求。其亮点在于仅8mΩ的导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提升系统效率。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是针对高功率密度和低电阻应用的理想半导体解决方案。
- 商品型号
- IPD80P03P4L-07-HXY
- 商品编号
- C22366833
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361809克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
SM4411PRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -9A
- RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOP-8
- P沟道MOSFET
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