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FDMC510P-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- FDMC510P P沟道MOS管采用紧凑型DFN3X3-8L封装形式，实现卓越的空间利用率与散热性能。器件工作电压VDSS高达20V，可承载强劲的48A连续漏极电流ID，表现出卓越的电流处理能力。其核心技术优势在于超低导通电阻RD(on)，仅7.5mΩ，有效降低系统内阻、提升工作效率，尤其适合于电源转换、电机驱动等高电流应用领域。FDMC510P MOS管凭借出色的电流承载能力与节能效果，为您的设计提供有力的半导体解决方案。
- 商品型号
- FDMC510P-HXY
- 商品编号
- C22366830
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
CSD25402Q3A采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -60A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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