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SI7123DN-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- SI7123DN-T1-GE3 P沟道MOS管是一款高性能半导体器件，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，实现了空间节省和高效散热。该器件具有20V的额定电压VDSS，并能在满负荷下提供稳定的48A漏极电流ID。尤为突出的是其业界领先的导通电阻RD(on)，仅为7.5mΩ，大幅度提升了系统能效，减少了不必要的功耗。SI7123DN-T1-GE3 MOS管专为高电流应用设计，如电源开关、电池管理系统等，是追求高效能、低损耗解决方案的理想选择。
- 商品型号
- SI7123DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366829
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
DMT69M8LSS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 10A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 13mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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