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SI7615CDN-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- SI7615CDN-T1-GE3 P沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装设计，旨在优化电路布局并增强散热性能。器件具备20V的额定电压VDSS和高达48A的连续漏极电流ID，确保在大电流环境下的稳定运作。其导通电阻RD(on)低至7.5mΩ，有效降低传导损耗，提升整体工作效率，特别适用于电源转换、电池管理系统等对能效要求高的场景。SI7615CDN-T1-GE3 MOS管，凭借其出色的电流承载能力和低阻特性，成为现代高效能电子设备的优选半导体元件。
- 商品型号
- SI7615CDN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366828
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066834克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
IPD80P03P4L-07采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -70A
- 栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 11mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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