温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7613DN-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SI7613DN-T1-GE3 P沟道MOS管，采用小型化DFN3X3-8L封装工艺，实现更高集成度与散热效率。器件工作电压VDSS高达20V，最大连续漏极电流ID为48A，彰显卓越的电流传送性能。其亮点在于极低的导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ，有助于大幅削减系统损耗，提升整体效能。这款MOS管适用于电源管理、电池保护等高电流应用场合，凭借强大的电流承载能力和优秀的能效表现，SI7613DN-T1-GE3 成为现代电子产品设计的理想半导体组件选择。
- 商品型号
- SI7613DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366827
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI7123DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -60A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- SI7615CDN-T1-GE3-HXY
- SI7123DN-T1-GE3-HXY
- FDMC510P-HXY
- DMP3010LK3-HXY
- AOD21357-HXY
- IPD80P03P4L-07-HXY
- AOD4186-HXY
- FDD8447L-F085-HXY
- SM4186T9RL-HXY
- SIR836DP-T1-GE3-HXY
- NVMFS5C468N-HXY
- FDD6530A-HXY
- VN2110-HXY
- ZVN3310F-HXY
- AON7426-HXY
- IRFHM8329PBF-HXY
- SIS402DN-T1-GE3-HXY
- DMG7401SFG-HXY
- MDV3604URH-HXY
- SM454AT9RL-HXY
- NCV8403A-HXY