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CSD25402Q3A-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- CSD25402Q3A P沟道MOS管采用精巧DFN3X3-8L封装，实现高效空间利用。本器件具备20V的额定电压VDSS，能够承受高达48A的连续漏极电流ID，彰显出超强的电流处理能力。其核心优势在于超低导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ，显著提升系统能效，减小功率损耗。这款MOS管广泛适用于电源切换、电池保护等多种应用场景，凭借卓越的性能表现与紧凑封装设计，CSD25402Q3A 成为了高功率密度应用的理想半导体选择。
- 商品型号
- CSD25402Q3A-HXY
- 商品编号
- C22366826
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
STP4435采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -9A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOP - 8
- P沟道MOSFET
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