STP4435-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- STP4435 P沟道MOS管采用紧凑且广泛应用的SOP-8封装,提供卓越的电路集成方案。此款MOS管拥有强大性能额定电压VDSS高达30V,可承受持续的6A漏极电流,确保在各种高负载条件下稳定运行。尤其引人注目的是其超低的导通电阻RD(on),仅28mΩ,有效减少能量损耗,提高能源效率,适合应用于电源管理、马达驱动等多个领域。STP4435 MOS管,以其出众的性能表现和可靠性,为您带来理想的半导体解决方案。
- 商品型号
- STP4435-HXY
- 商品编号
- C22366825
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@7A | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
DMP3056LSS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -9A
- RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOP-8
- P沟道MOSFET
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