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STP4435-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STP4435-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:9A

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描述
STP4435 P沟道MOS管采用紧凑且广泛应用的SOP-8封装,提供卓越的电路集成方案。此款MOS管拥有强大性能额定电压VDSS高达30V,可承受持续的6A漏极电流,确保在各种高负载条件下稳定运行。尤其引人注目的是其超低的导通电阻RD(on),仅28mΩ,有效减少能量损耗,提高能源效率,适合应用于电源管理、马达驱动等多个领域。STP4435 MOS管,以其出众的性能表现和可靠性,为您带来理想的半导体解决方案。
商品型号
STP4435-HXY
商品编号
C22366825
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.112667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)29nC@7A
输入电容(Ciss)1.69nF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)195pF

商品概述

DMP3056LSS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -30V ID = -9A
  • RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 10V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源
  • SOP-8
  • P沟道MOSFET

数据手册PDF