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IRF7406PBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7406PBF-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:9A

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描述
IRF7406PbF P沟道MOS管,以紧凑型SOP-8封装呈现,专为高性能电子设备打造。该器件具备出色的电气参数额定电压VDSS高达30V,连续漏极电流ID可达6A,展现出强大的电力处理性能。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on),仅为28mΩ,大大降低了功耗并提升了系统效能,广泛适用于电源转换、电机控制等领域。凭借其卓越的稳定性和可靠性,IRF7406PbF MOS管成为您设计中的理想半导体元件选择。
商品型号
IRF7406PBF-HXY
商品编号
C22366824
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.113克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.175nF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)195pF

数据手册PDF