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IRF7406PBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- IRF7406PbF P沟道MOS管，以紧凑型SOP-8封装呈现，专为高性能电子设备打造。该器件具备出色的电气参数额定电压VDSS高达30V，连续漏极电流ID可达6A，展现出强大的电力处理性能。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)，仅为28mΩ，大大降低了功耗并提升了系统效能，广泛适用于电源转换、电机控制等领域。凭借其卓越的稳定性和可靠性，IRF7406PbF MOS管成为您设计中的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- IRF7406PBF-HXY
- 商品编号
- C22366824
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
SI4431CDY-T1-GE3采用先进的沟槽工艺技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V，ID = -9 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 20 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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