DMP3056LSS-HXY
30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此场效应管为P型,电流9A,可在一定功率需求下工作。电压30V,适应常见电路环境。内阻典型值18mR,能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电流和电压有特定要求的电子设备,确保稳定运行。
- 商品型号
- DMP3056LSS-HXY
- 商品编号
- C22366823
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
SI9435BDY-T1-E3采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -9A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- IRF7406PBF-HXY
- STP4435-HXY
- CSD25402Q3A-HXY
- SI7613DN-T1-GE3-HXY
- SI7615CDN-T1-GE3-HXY
- SI7123DN-T1-GE3-HXY
- FDMC510P-HXY
- DMP3010LK3-HXY
- AOD21357-HXY
- IPD80P03P4L-07-HXY
- AOD4186-HXY
- FDD8447L-F085-HXY
- SM4186T9RL-HXY
- SIR836DP-T1-GE3-HXY
- NVMFS5C468N-HXY
- FDD6530A-HXY
- VN2110-HXY
- ZVN3310F-HXY
- AON7426-HXY
- IRFHM8329PBF-HXY
- SIS402DN-T1-GE3-HXY
