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SM4411PRL-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SM4411PRL-HXY

1个P沟道 耐压:30V

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描述
SM4411PRL 是一款P沟道MOSFET,采用小型SOP-8封装,专为高集成度和节能设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS),能稳定处理6A的连续漏极电流(ID),其出色的导通电阻低至28mΩ(RD(on)),确保在电源管理、负载开关及类似应用中实现高效能与低损耗。适用于各类电池供电设备、电源转换器以及其他需要精确控制电流的场合,是提升系统性能的理想半导体元件。
商品型号
SM4411PRL-HXY
商品编号
C22366822
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.112667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
输入电容(Ciss)1.69nF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

SI4431CDY-T1-E3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = - 30V,ID = - 9A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 20mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF