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SM4411PRL-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SM4411PRL-HXY

1个P沟道 耐压:30V

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描述
SM4411PRL 是一款P沟道MOSFET,采用小型SOP-8封装,专为高集成度和节能设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS),能稳定处理6A的连续漏极电流(ID),其出色的导通电阻低至28mΩ(RD(on)),确保在电源管理、负载开关及类似应用中实现高效能与低损耗。适用于各类电池供电设备、电源转换器以及其他需要精确控制电流的场合,是提升系统性能的理想半导体元件。
商品型号
SM4411PRL-HXY
商品编号
C22366822
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.112667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.175nF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)195pF

数据手册PDF