SM4411PRL-HXY
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- SM4411PRL 是一款P沟道MOSFET,采用小型SOP-8封装,专为高集成度和节能设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS),能稳定处理6A的连续漏极电流(ID),其出色的导通电阻低至28mΩ(RD(on)),确保在电源管理、负载开关及类似应用中实现高效能与低损耗。适用于各类电池供电设备、电源转换器以及其他需要精确控制电流的场合,是提升系统性能的理想半导体元件。
- 商品型号
- SM4411PRL-HXY
- 商品编号
- C22366822
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI4431CDY-T1-E3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V,ID = - 9A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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